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IMC 2026｜广和通携手Grid-<span style='color:red'>OS</span>，加速印度IoT终端规模化落地

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IMC 2026｜广和通携手Grid-OS，加速印度IoT终端规模化落地

　　IMC 2026期间，广和通携手印度IoT产品设计与制造企业 Grid-OS，展示双方在智能支付与车辆追踪领域的合作成果。Grid-OS旗下支付音箱搭载广和通 LE270 LTE Cat 1 bis模组，两款4G车辆追踪终端则采用广和通 LE250系列LTE Cat 1 bis模组。从支付终端到车辆追踪，双方合作已覆盖不同IoT产品线，持续拓展无线连接在印度本地终端中的规模化应用。　　印度IoT市场正加快向规模化应用演进。以数字支付为例，印度国家支付公司NPCI数据显示，2026年8月UPI月交易量达到 245.09亿笔。伴随数字支付持续深入线下商业场景，以及车辆追踪等IoT应用发展，不同终端对稳定连接、低功耗、定位及灵活产品开发能力提出了更加多样化的需求。　　作为面向B2B市场的IoT ODM，Grid-OS具备从产品设计、软硬件开发到规模制造的端到端能力，其智能工厂电子产品月产能超过30万台。广和通与Grid-OS的合作，将无线连接能力进一步融入印度本地产品开发与制造体系，支持IoT终端从产品开发走向规模化交付。　　支付连接　　随着数字支付终端大规模、分散部署，支付音箱需要保持稳定在线，并及时完成支付信息传输，同时兼顾长期运行所需的功耗表现。　　Grid-OS支付音箱搭载广和通 LE270 LTE Cat 1 bis模组，通过稳定的4G蜂窝连接支持支付信息实时传输。LE270针对连接态及DRX待机功耗进行优化;结合其低功耗设计，Grid-OS支付音箱配备2000mAh电池，续航约 7–8天，兼顾持续联网与终端续航需求。　　面向泛支付等中低速率IoT应用，LE270以稳定连接、紧凑设计及低功耗能力，为支付音箱等规模化部署终端提供可靠的通信基础。　　车辆追踪　　双方合作进一步延伸至车辆追踪终端。Grid-OS基于广和通 LE250系列LTE Cat 1 bis模组开发两款4G车辆追踪终端，利用其 LTE连接及GPS/北斗定位能力，满足车辆位置及运行数据回传需求。　　LE250面向Tracker、车载等IoT场景设计，同时支持 OpenCPU、DFOTA 等功能，可帮助客户简化终端开发，并为后续软件升级与维护提供支持。　　深耕印度　　从支付音箱到车辆追踪终端，从LE270到LE250系列，广和通无线通信产品已进入Grid-OS不同IoT产品线。双方合作正由单一产品导入向多产品、多场景协同延伸，进一步展现了广和通以差异化产品能力适配印度本地IoT终端需求的能力。　　Grid-OS创始人 Raghav Gautam表示：“印度市场正在产生越来越多面向实际业务场景的IoT终端需求，不同产品对连接、功耗、定位及功能集成有着不同要求。广和通丰富的无线通信产品组合，使我们能够根据不同终端需求选择适合的方案。结合Grid-OS从产品设计、开发到规模制造的能力，我们期待进一步拓展双方合作，将更多IoT产品高效推向市场。”　　广和通亚太销售部副总裁 Ronald Chan表示：“印度是广和通持续深耕的重要IoT市场。随着IoT应用加快规模化落地，客户对连接能力和产品开发提出了更加多样化的需求。与Grid-OS的合作从支付音箱延伸至车辆追踪终端，体现了广和通通过多样化无线产品与本地ODM伙伴协同，灵活适配不同终端需求的能力。未来，我们将继续发挥无线连接、技术支持及全球化服务优势，与印度本地生态伙伴携手，加速更多IoT产品走向规模化商业应用。”　　未来，广和通与Grid-OS将继续结合双方在无线连接、产品开发与规模制造方面的优势，拓展印度智能支付、车辆追踪及更多IoT应用机会。

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广和通

发布时间：2026-10-10 11:07 阅读量：171 继续阅读>>

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【光模块智能可调Buck-Boost】帝奥微推出I²C可编程全集成升降压DPM4112

　　前言　　随着AI大模型训练与推理规模持续扩张，数据中心算力互联带宽需求呈指数级增长，驱动高速光模块加速向800G、1.6T及更高速率迈进。速率越高，内部激光驱动、DSP信号处理、时钟同步等单元对供电精度与稳定性的要求也越严苛。　　一方面，系统总线电压在不同整机平台上存在差异，输入可能高于、等于甚至低于目标输出电压，单Buck或单Boost方案难以覆盖全部工况;另一方面，光模块内部空间异常紧凑，在满足性能的前提下需尽可能减少外围元器件数量，所以集成度更高、输出可调、体积更小、外围元器件数量更少的Buck-Boost模块成为必然选择。　　针对上述痛点，帝奥微推出高集成度的同步Buck-Boost电源模块DPM4112。该产品在ECLGA 2.0mm x 2.6mm–8超小封装内集成了功率电感与功率开关，搭载I2C可编程接口，无需外围电感，同时可减少2颗外围FB反馈电阻，支持输出电压实时调节与功能参数灵活配置，为高速光模块及各类空间受限设备提供高集成度、高灵活性的升降压供电方案。　　DPM4112简介及主要参数　　DPM4112是一款面向光模块、便携电子等场景的全集成同步Buck-Boost电源模块。产品采用ECLGA-8微型封装，内置功率电感，输入覆盖2.0V~5.5V，输出可通过I2C在1.0V~5.5V范围内灵活设定，最大支持2.0A持续输出电流。芯片运行于2MHz固定开关频率，提供PSM与FPWM两种工作模式，并集成真正关断、短路保护、过压保护、过热关断等完整防护机制，是空间受限、供电要求严苛场景下的理想选择。　　主要参数　　应用框图　　性能解析　　一、全温区高效运行，助力光模块攻克散热瓶颈　　光模块封装密闭，内部空间有限，电源转换产生的热量难以快速散出，转换效率直接决定模块的温升水平与长期可靠性。DPM4112从架构到工艺全面优化效率表现：　　内部四路功率开关采用低导通电阻设计，大幅降低导通损耗，在2.0A满载工况下仍保持高效率;　　在定频峰值电流模式控制架构下，Buck、Boost、Buck-Boost三种工作模式根据输入输出电压关系自动平滑切换，无论输入高于、低于还是接近输出电压，均能维持高效能量转换。　　二、低输出纹波，为高速信号链提供洁净电源　　光模块内激光驱动、时钟、TIA等噪声敏感电路对供电纹波要求严苛，DPM4112以恒定2MHz频率开关工作，具备优异的输出纹波特性，在VIN = 3.3V，VOUT = 3.3V，IOUT = 0A测试条件下，DPM4112的输出纹波仅为5.4mV：　　三、快速瞬态响应，从容应对负载电流骤变　　光模块中的电源供电电路需满足典型的突发式负载特性 —— 数据突发传输时电流迅速攀升，空闲时又骤降至接近零，这种大幅度、快节奏的电流跳变对电源的瞬态响应能力提出较高要求。DPM4112在Buck-Boost三模式无缝切换的基础上，配合多项设计优化，可确保瞬态性能满足光模块实际工况需求：　　DPM4112在Buck、Boost、Buck-Boost三种工作模式下均保持稳定的环路特性，模式切换过程中瞬态响应连续跳变小，不会因拓扑模式变化出现响应性能突变;配合2 MHz高开关频率，环路响应速度快，负载电流在轻载与满载间快速跳变时，输出电压下冲 / 上冲幅度小、恢复时间短;　　FPWM模式下支持反向电流操作，当输出电压因负载骤减而超过设定值时，芯片主动将多余能量回灌至输入端，加速输出电压回归，有效压缩负载卸载时的瞬态过冲　　如下是DPM4112在VIN = 3.3V, VOUT = 3.3V，IOUT: 0.1A -- 1A，Slew rate 20µs测试条件下的输出瞬态响应波形：　　四、多重防护机制，筑牢光模块供电安全防线　　电源供电产品在实际应用中可能面临输入异常、输出过流或短路、过温等多种极端工况，完善的保护机制是保障芯片自身及整模块安全的关键。DPM4112集成了覆盖上电、运行、关断全流程的防护体系：　　真正关断(Full True Shutdown)功能：芯片关断时输出端与负载完全断开，杜绝通过体二极管或寄生路径产生的漏电流，确保系统下电后输出真正归零;　　打嗝模式短路保护：输出短路或严重过载时，芯片进入间歇工作模式以限制平均电流，避免功率器件因过热而损坏;故障排除后自动恢复正常输出，无需人工复位;　　过压保护、过热关断、欠压锁定及双向限流功能同步集成，对输入过压、芯片过温、输入欠压、电流异常等工况全部覆盖;　　ESD等级达到HBM ±5000V、CDM ±2000V，高于国内外其他厂家的产品指标，静电防护能力优势显著，满足光模块在数据中心各类环境下的可靠运行要求。　　如下是DPM4112在VIN = 3.3V，VOUT = 3.3V，IOUT = 1.0A测试条件下的短路保护波形：　　总结：DPM4112 —— 高速光模块的“小巧灵活型升降压供电首选”　　凭借全温区全负载范围的高效转换、I2C可编程灵活输出、低输出纹波、快速瞬态响应以及多重安全防护，DPM4112在2.0mm × 2.6mm的超小体积内，完美解决了高速光模块供电中“输入电压波动、多电压轨适配、散热受限、噪声敏感、异常工况防护”几大核心难题，是高速光模块及各类紧凑型设备供电设计的优选方案。

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帝奥微

发布时间：2026-09-29 10:36 阅读量：241 继续阅读>>

安森德丨浅谈SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET驱动设计的选择

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安森德丨浅谈SiC MOSFET驱动设计的选择

　　对于不少电源工程师而言，SiC MOSFET往往与负压关断绑定使用，但从实际拓扑来看，负压并非所有SiC应用的必选项。　　一、负压关断主要解决什么问题?　　SiC MOSFET 的开关速度远快于传统硅 MOSFET，其漏源电压变化率可达 50~100 V/ns。快速开关虽然有利于降低开关损耗，但也使器件更容易受到寄生参数和驱动回路的影响。　　在半桥等桥臂拓扑中，当高边 MOSFET 快速开通时，低边 MOSFET 的 VDS 会急剧变化。由此产生的高 dv/dt 会经由低边器件的栅漏电容 Cgd，也就是米勒电容，耦合到栅极，并注入位移电流。　　如果驱动回路抑制干扰的能力不足，这股位移电流就可能在栅极形成瞬态 VGS 尖峰，使原本处于关断状态的 MOSFET 被抬升到阈值电压以上。SiC MOSFET 的阈值电压通常约为 2.7~4 V，一旦发生误开通，上下桥臂便会同时导通，进而可能造成直通短路。　　从图中可以看到，高边Q1高速开通时，低边Q2承受快速变化的VDS，Cgd产生的位移电流会流入栅极，并形成瞬态VGS尖峰。　　米勒串扰的形成通常包含三个关键条件：高dv/dt、Cgd耦合通道，以及另一只处于关断状态的互补开关管。其中前两项来自器件自身特性，而是否存在互补开关，则由具体拓扑决定。　　这也意味着，判断SiC MOSFET是否需要负压关断，不能只看器件本身，更要看它工作在什么拓扑中。　　二、单管拓扑为何可以采用0V关断?　　反激是消费类适配器、辅助电源等场景中非常典型的单管拓扑，初级功率回路只有一只主开关MOSFET，不存在另一只与其构成互补关系的高速功率管。　　在MOSFET关断过程中，其漏极电压同样会快速上升，dv/dt也会通过自身Cgd影响栅极。但这种作用属于器件自身的电容耦合，不存在桥臂结构中“一只MOSFET开通，干扰另一只MOSFET”的跨器件路径。　　因此，从米勒串扰和桥臂直通这一角度来看，反激拓扑并不依赖负压关断，可以采用0V关断方案。相比负压关断，其主要代价是关断速度有所降低，并带来一定的额外关断损耗。　　三、正激、Buck同样不存在互补开关串扰　　相同的判断逻辑也适用于单管正激和传统Buck拓扑。　　单管正激通过一只主开关管控制变压器初级能量传递，并没有半桥、全桥结构中的高速互补开关，因此不存在另一只功率MOSFET受到米勒耦合后发生误导通的问题。　　Buck拓扑则由主动开关、续流器件以及储能电感组成，基本功率级同样只有一只主动开关。　　对于这类拓扑，开关节点的dv/dt主要作用于器件自身，不会形成桥臂拓扑中的跨器件串扰路径，因此从抗米勒误导通的需求来看，可以采用0V关断，无需额外增加负压生成电路。　　四、普通Boost及传统Boost PFC与图腾柱PFC要区别看待　　PFC是另一个容易产生误解的应用。　　普通Boost/传统Boost PFC由一只主动MOSFET、升压电感以及续流二极管构成，本质上仍属于单管升压结构。　　普通 Boost 与传统 Boost PFC 中，承担主动开关作用的通常只有一只 MOSFET，并没有另一只高速互补功率管参与桥臂交替工作，因此它们的驱动判断思路与反激、Buck 较为接近：采用 0V 关断通常就能满足需求，也无需再为负压驱动额外增加电路。图腾柱 PFC 则不能按这一逻辑处理。它为降低整流损耗，高频桥臂一般由两只功率 MOSFET 构成，已经属于典型的桥式功率级。当其中一只器件快速开关时，另一只关断管会承受较高的 dv/dt，并可能通过 Cgd 耦合到栅极，进而出现米勒串扰，严重时甚至误导通。因此，图腾柱 PFC 更应重视负压关断，以提升关断期间的抗干扰余量。换言之，“PFC 一定要用负压”这种说法并不准确，驱动方案最终仍要由具体电路结构来决定。　　五、两只开关管，也不一定属于桥臂结构　　判断是否需要负压关断，也不能简单按照开关管数量进行划分。　　以双管正激为例，虽然初级侧使用两只MOSFET，但两只器件采用同时开通、同时关断的工作方式，并不是半桥、全桥中交替工作的互补开关关系。　　因此，双管正激并不存在典型的“一侧高速开通，导致另一侧关断器件受到米勒串扰”的工作条件，也不存在传统桥臂结构中的上下管互补直通路径。　　双管反激同样属于类似情况，两只功率器件采用同开同关方式，因此从米勒串扰角度来看，也可以采用0V关断。　　安森德半导体(ASDsemi)，以呼应市场应用需求特研发推出以下SiC MOSFET，以满足客户灵活设计参数要求。　　SiC MOSFET是否采用负压关断，并没有放之四海而皆准的结论。负压关断的关键作用之一，是应对桥式拓扑中高 dv/dt 通过 Cgd 耦合到栅极后造成的米勒串扰与误开通。因此，半桥、全桥、图腾柱 PFC 等带有高速互补开关的功率级，借助负压关断可以提升关断状态下的抗干扰能力。相反，反激、单管正激、Buck、普通 Boost、传统 Boost PFC，以及部分同开同关的双管拓扑，并不存在这种跨器件的串扰通路，因此可在效率、成本、PCB 面积和驱动复杂度之间权衡，选择 0V 或负压关断。对电源工程师而言，SiC MOSFET 驱动设计的核心不是套用“SiC 必须负压”的既有经验，而是依据器件参数、拓扑结构和开关时序进行判断;在保障可靠性的前提下减少不必要的外围电路，也是 SiC 器件迈向高集成、高功率密度应用的重要方向。　　安森德MOS产品依托自研工艺，可以定制各类高效MOSFET，提供系统级解决方案，助力品牌快充实现丝滑迭代、高良率大规模量产。例如：在45W~240W的主流快充中，我们推荐以下型号的同步整流MOS，支持电源产品做紧凑PCB布局，帮助您通过高频工况EMI，打造高可靠、低Ciss、成本友好的的同步整流电路，单颗覆盖功率范围广，可减少物料种类。

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安森德

发布时间：2026-09-20 10:39 阅读量：291 继续阅读>>

别再乱选 M<span style='color:red'>OS</span> 管和二极管！这些参数别忽略

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别再乱选 MOS 管和二极管！这些参数别忽略

　　在电子电路设计中，MOS 管和二极管是最常用、也最容易被“随手替代”的器件。很多人选型时只看“能不能用”，却忽略了关键参数，结果往往是电路发热、效率下降、频繁损坏，甚至整机失效。　　实际上，MOS 管和二极管的选型并不复杂，关键是抓住几个核心参数，避免盲目替换。　　一、MOS 管选型时要重点看哪些参数?　　MOS 管常用于开关控制、电源转换、电机驱动等场景。选型时不能只看型号名称或封装，以下参数尤其重要。　　1. 漏源电压 VDS　　VDS 表示 MOS 管能够承受的最大漏极与源极之间电压。　　如果实际工作电压接近或超过这个值，MOS 管很容易被击穿。通常建议留有足够余量，不能“刚刚好”就拿来用。　　2. 漏极电流 ID　　ID 代表 MOS 管允许通过的最大电流。　　但要注意，这个参数并不是随便写在数据手册上就能直接照搬使用的，还要结合散热条件、环境温度和散热片设计来判断。实际工作中，电流能力往往要打折扣。　　3. 导通电阻 RDS(on)　　RDS(on) 是衡量 MOS 管导通损耗的重要指标。　　导通电阻越小，压降越低，发热越少，效率也越高。尤其在大电流电路中，这个参数非常关键。如果选得不好，MOS 管即使没有击穿，也可能因为发热太大而失效。　　4. 栅极驱动电压 VGS　　很多人容易忽略 MOS 管并不是“随便给个电压就能完全导通”。　　不同 MOS 管的栅极驱动要求不同，有些是标准型，有些是逻辑电平型。如果驱动电压不足，MOS 管不能完全导通，导通损耗会明显增加。　　5. 栅极电荷 Qg　　在高频开关电路中，Qg 很重要。　　栅极电荷越大，驱动它所需的能量越多，开关速度也可能越慢。对于 PWM、电源转换等场景，Qg 会直接影响效率和开关损耗。　　6. 封装与散热能力　　同样参数的 MOS 管，不同封装的散热能力可能差别很大。　　在 PCB 设计中，要注意铜箔面积、散热路径和热阻，否则纸面参数再漂亮，实际也可能热得不行。　　二、二极管选型时不能只看“能通电”　　二极管看似简单，但在整流、续流、保护、钳位等场景中，选错同样会出问题。　　1. 最大反向电压 VRRM　　这是二极管能够承受的最高反向电压。　　如果反向电压超标，二极管会被反向击穿。设计时一定要预留余量，尤其在电源浪涌较大的场合。　　2. 正向电流 IF　　正向电流决定了二极管能够长期承受多大的电流。　　但除了平均电流，还要注意浪涌电流能力，否则上电瞬间可能直接损坏。　　3. 正向压降 VF　　VF 越大，二极管发热越明显，效率越低。　　在低压大电流系统中，哪怕只是多出一点压降，都会造成明显损耗。因此很多场合会优先选用肖特基二极管，以降低压降。　　4. 反向恢复时间 trr　　如果电路工作频率较高，比如开关电源或高频整流，反向恢复时间非常关键。　　普通整流二极管恢复慢，可能导致额外损耗和电磁干扰。此时应根据电路频率选择快恢复二极管、超快恢复二极管或肖特基二极管。　　5. 结温与散热条件　　二极管同样会发热，且温度越高，性能越容易下降。　　如果散热设计不好，二极管会长期处于高温状态，可靠性会明显降低。　　三、常见选型误区　　1. 只看电压，不看电流　　很多人觉得“电压够就行”，但器件最常坏的往往是过流和过热。　　2. 只看额定值，不看工作条件　　数据手册上的额定参数通常是在理想条件下测得，实际应用中必须考虑温度、频率、散热和脉冲冲击。　　3. 随便找同类器件替代　　不同厂家、不同批次、不同封装的器件性能差异都可能很大，不能只看型号相近就直接替换。　　4. 忽略驱动能力　　MOS 管不是“有电压就能完全开通”，驱动电路设计不合理，器件再好也发挥不出来。　　四、选型时的实用建议　　先明确电路工作电压、电流和频率。　　给器件留足裕量，不要卡着极限选。　　关注损耗指标，而不只是最大额定值。　　查看封装散热和PCB布局条件。　　高速、高频场合优先考虑开关特性。　　不确定时，优先参考典型应用电路和厂家推荐方案。　　总结来说，MOS 管和二极管虽然常见，但选型绝不能马虎。电压、电流、损耗、驱动、恢复时间、散热能力，这些参数缺一不可。只有真正理解器件参数与电路应用之间的关系，才能避免“看起来能用，实际上很容易坏”的问题。

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MOS 管和二极管

发布时间：2026-09-18 10:02 阅读量：297 继续阅读>>

芯模共生，生态共建：昆仑芯联合Flag<span style='color:red'>OS</span>实现MiniCPM5-2B模型Day 0部署

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芯模共生，生态共建：昆仑芯联合FlagOS实现MiniCPM5-2B模型Day 0部署

　　近日，面壁智能联合OpenBMB正式开源新一代端侧模型「小钢炮」MiniCPM5-2B。作为面向端侧场景打造的新一代小尺寸模型，该模型原生支持混合思考、512K超长上下文，并具备工具调用、深度搜索、代码生成等智能体能力，可进一步拓展至手机、PC、智能座舱等多元端侧设备。　　模型开源后，昆仑芯联合FlagOS，率先完成MiniCPM5-2B的Day 0适配与推理验证。　　此次适配展现了昆仑芯面向前沿开源模型的快速响应能力。依托持续完善的软硬件协同体系，昆仑芯能够紧跟主流模型迭代，并通过与FlagOS的生态协同，进一步提升模型适配效率，缩短新模型从开源发布到国产算力平台可用的时间。　　开源即适配，昆仑芯联合FlagOS实现模型高效部署　　大模型快速迭代的今天，从“模型发布”到“算力可用”的时间窗口正在不断缩短。对于开发者而言，新模型发布后能否快速完成不同算力平台上的适配、部署与性能验证，已经成为衡量算力生态响应能力的重要指标。此次MiniCPM5-2B开源后，昆仑芯联合FlagOS快速完成模型的适配与推理验证，实现了开源即适配、开源即部署。在适配过程中，昆仑芯围绕模型运行涉及的算子、推理框架及运行环境开展逐一验证与优化，依托持续完善的软件体系和软硬件协同能力，推动模型在快速在昆仑芯平台实现稳定运行。与此同时，FlagOS通过统一算子库、编译器及推理插件等软件能力，为模型适配提供统一的软件支撑，进一步降低前沿模型跨芯片适配的复杂度。基于统一多芯片软件栈，此次MiniCPM5-2B的适配成果还可通过FlagRelease发布多芯片模型版本，进一步提升适配成果的复用效率。　　软硬协同，昆仑芯持续提升适配效率　　大模型适配并非简单地让模型“跑起来”。由于不同AI芯片在计算架构、算子支持、编译环境和软件栈等方面存在差异，新模型要实现稳定、高效运行，需要进行多层次的适配与优化。　　对于昆仑芯而言，持续完善软硬件协同能力，提升模型适配与优化效率，是推动前沿模型快速落地的重要基础。　　这一适配能力的背后，是昆仑芯长期积累并持续完善的自研软件体系。围绕开发者需求，昆仑芯构建了覆盖底层驱动、开发工具、SDK及专业算子库等核心环节的自研软件栈，为模型迁移、部署与运行提供完善的软件支撑。依托持续演进的软件能力，开发者能够以更低的适配成本和更高的部署效率，将前沿模型快速应用于实际场景。　　此次MiniCPM5-2B适配过程中，昆仑芯依托自身软件体系和推理能力完成模型适配与验证，并联合FlagOS进一步提升适配成果的复用效率，为模型在国产AI芯片平台上的快速部署提供支持。　　从单个模型的Day 0快速响应，到持续拓展主流模型生态，昆仑芯正不断拓展对前沿模型的兼容与支持能力，持续缩短模型从开源发布到国产算力平台落地的时间，让更多前沿模型能够更加高效地运行在国产算力平台之上。　　深化生态协同，共建繁荣模型生态　　随着大模型加速迭代，模型生态与算力生态之间的协同效率愈发重要。对于国产算力而言，除了具备稳定的硬件性能，还需要持续提升对主流模型的兼容与适配能力，才能更好承接前沿模型的发展。　　昆仑芯正持续跟进主流开源模型迭代，不断提升模型适配与优化效率，当前已完成智谱GLM系列、Qwen系列、MiniMax、Kimi等多款主流模型的适配，持续拓展对主流模型生态的支持范围。　　在不断提升自身适配能力的同时，昆仑芯也积极参与众智FlagOS社区等开源生态建设，通过与生态伙伴开展联合适配，推动模型适配成果进一步复用和共享，扩大国产算力对主流模型生态的支持范围。　　未来，昆仑芯将持续提升前沿模型的适配与优化能力，深化模型、软件与芯片之间的协同，与生态伙伴共同推动更多前沿模型快速落地国产算力平台，助力构建更加开放、繁荣的国产AI生态。

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昆仑芯

发布时间：2026-09-09 10:19 阅读量：332 继续阅读>>

低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDM<span style='color:red'>OS</span>FET适配冰箱新国标

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低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

　　2026年6月1日开始实施《家用电冰箱耗电量限定值及能效等级》GB 12021.2-2025。核心变化是，能效指标大幅度提升，准入门槛大幅度提高，耗电量限定值准入门槛提高30%~40%，预计约20%以上的高耗能产品将被淘汰。为应对该国标的执行，倒逼企业在高效压缩机、隔热材料、控制系统三大核心领域技术升级。　　冰箱材料成本进一步增加，为应对行业发展及降本的需求，维安(WAYON) 开发出FR-MOSFET应用于冰箱压缩机变频控制。　　MOSFET与　　IGBT器件的特点与对比　　MOSFET与IGBT器件对比　　MOSFET与IGBT效率的对比　　1　　轻载区间(<150W)　　MOSFET(红色曲线)效率显著高于 IGBT(蓝色曲线)。　　MOSFET 开关速度为 ns 级，开关损耗极低;轻载下开关损耗是总损耗主要部分，IGBT 存在电流拖尾，开关损耗大，因此轻载效率劣势明显。　　2　　中载交叉点(约 150W)　　两者效率曲线交汇，此时两种器件的开关损耗 + 导通损耗总和基本持平。　　3　　重载 / 满载区间(>150W)　　IGBT 效率反超 MOSFET 且持续上升，MOSFET 效率开始回落。　　重载时导通损耗成为主要损耗来源，IGBT 饱和压降VCE(sat)固定，大电流下导通损耗增长平缓;MOSFET 导通损耗随电流平方上升(P=I2RDS(ON))，大电流下导通损耗快速恶化，效率下降。　　FR-VDMOSFET与　　IGBT实测对比　　A、器件损耗对比：　　FRMOS 的开关损耗低于IGBT。　　B、耗能对比：　　FRMOS 能耗相较于IGBT降低了15.8%。　　C、温升对比　　环境温度26℃的情况下，IGBT与维安FRMOS的温升基本一致。　　典型应用：电机驱动　　基于以上对比，维安开发的FR‑VDMOSFET，适用于 200W 以下冰箱压缩机驱动，更好的适配冰箱工况，提升效率，降低成本。　　推荐选型

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维安

发布时间：2026-08-31 10:28 阅读量：362 继续阅读>>

士兰微丨新一代80V SGT LVM<span style='color:red'>OS</span>，助力服务器电源迈向能效新高度

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士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力服务器电源迈向能效新高度

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士兰微

发布时间：2026-08-28 11:00 阅读量：387 继续阅读>>

安森德丨拆了诗恩吹风机，发现一颗通吃三场景的40V M<span style='color:red'>OS</span>

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安森德丨拆了诗恩吹风机，发现一颗通吃三场景的40V MOS

　　在电源与电机驱动的BOM表里，一颗料如果能同时覆盖「小家电、锂电充、电动工具」三大场景，往往意味着更低的备货风险和更高的供应链弹性。　　充电头网近期拆解的诗恩MK01无线吹风机，就提供了一个极具参考价值的样本：其88W闪充底座(输出25.2V/3.5A)背面顶部，负责直流输出隔离开关的，正是安森德半导体(ASDsemi)的 ASDM40N60KQ(40V N-MOS，TO-252-2L)。　　这不仅仅是一颗「吹风机底座里的MOS」，更是安森德40V中压MOS平台向多场景延伸的一个信号。　　图：诗恩MK01无线吹风机　　(图源：充电头网)　　诗恩MK01底座架构要点　　• 输入220-240V AC，经通嘉LD7790(PFC+QR反激二合一)→ 输出25.2V/3.5A(88W)　　• 次级整流用MBRF20200CL，恒压恒流由DIODES AP4310A+EL817光耦闭环　　• PCBA背面顶部：输出控制MOS + 电流取样电阻，后接充电触点与入座检测微动开关　　• 吹风机本体：6串比克18650(2500mAh/30A)、11万转无刷电机(120W)、片状发热丝　　一、诗恩MK01底座：无线小家电的输出开关样本　　这个「输出控制MOS」位置不是同步整流，也不是电机驱动，而是「后端直流输出隔离开关」，工作逻辑很明确：• 吹风机未入座 → MOS关断，避免触点带电与误触• 微动开关确认入座 → 控制器驱动MOS导通，25.2V/3.5A给6串锂电充电• 过流/满充/异常 → MOS关断，配合前端CV/CC环路做硬件级截断　　工况特点很典型：电压25.2V(峰值余量看40V档)、持续电流3.5A(启动/重入座有短时尖峰)、自然散热无独立散热器、TO-252靠PCB铜箔散热、全年在家电环境冷热循环。选料逻辑是「耐压留余量+导通损耗压住+抗浪涌EAS够大」，而不是单纯拼ID标称。　　二、一颗40V MOS的「跨场景体质」　　把诗恩底座的参数代入ASDM40N60KQ的规格书，你会发现它的参数分布非常「均衡」，没有明显的短板：　　为什么它适合「跨场景」?• 对小家电(如吹风机底座)：低RDS(on)保证不发热，400mJ EAS扛得住用户粗暴插拔• 对锂电充电器/户外电源：40V耐压适配6-7串锂电组，TO-252封装节省空间，适合做充放电隔离开关• 对电动工具坞站/园林工具：60A的ID余量和400mJ EAS，能应对电机堵转或电池入坞时的电流尖峰这种「耐压适中、导通极低、抗浪涌极强」的组合，让ASDM40N60KQ脱离了单一应用的限制，成为一款标准的「平台级通用料」。　　图：诗恩MK01无线吹风机充电底座触点　　(图源：充电头网)　　三、TO-252在自然散热产品里的边界　　很多工程师对TO-252的印象还停留在「小电流」，但ASDM40N60KQ在诗恩底座上的表现，重新定义了它的边界。　　在25.2V/3.5A的应用中，其稳态导通损耗仅为：　　不到0.1W的发热，加上TO-252底部露铜焊盘连接PCB大面积铜箔散热，使得它在无散热器、封闭塑胶外壳的环境下依然游刃有余。这意味着，对于那些受限于体积无法加装散热片的紧凑型充电底座、智能家电控制板、手持设备电源管理板，ASDM40N60KQ提供了一个既能满足电气性能、又不用妥协结构设计的选项。　　图：安森德ASDM40N60KQ作为输出开关在　　诗恩MK01无线吹风机充电底座运用　　(图源：充电头网)　　四、方案商入口：多口充/锂电充/小家电通用料　　从摩米士65W拉拉线充电器里的30V VBUS开关，到诗恩88W吹风机底座的40V输出闸，安森德的中低压MOS平台正在快速覆盖电源管理的各个关键节点。　　ASDM40N60KQ 的出现，为方案商提供了一个极具性价比的「40V通用选项」。如果你的项目涉及以下场景，这颗料值得放入你的BOM备选库：　　• 25.2V/29.4V 锂电充电器(电动工具、吸尘器、无人机)• 无线小家电触点充电底座(吹风机、理发器、美容仪)• 户外电源/储能设备的电池组充放电隔离开关• 24V工业控制设备的电源分配单元(PDU)

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安森德

发布时间：2026-08-18 10:41 阅读量：392 继续阅读>>

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安森德丨揭秘MOS可靠性：为什么大厂工程师选型必看SOA曲线？

　　导语　　很多工程师选MOS，第一眼看的是：耐压够不够?电流够不够?Rds(on)够不够低?　　但产品一上机，却频频出现：　　● 电机启动时炸管　　● 电源突加载直接挂掉　　● 温升超标，可靠性堪忧　　问题往往不在参数表，而在咱们有没有看懂这张图——SOA曲线。　　今天，安森德(ASDsemi)就带你拆开这张MOS选型的“黄金地图”。　　什么是SOA曲线?　　SOA(Safe Operating Area，安全工作区)曲线图，就是MOS管的“能力天花板”。　　图：SOA曲线图示例　　横轴：Vds(漏源电压)　　纵轴：Id(漏极电流)　　阴影区：MOS可以长期、可靠工作的范围　　只要工作点落在阴影区，MOS就是安全的;一旦越界，要么罢工，要么直接烧毁。　　而且要注意：　　● 温度越高 → 安全区越小　　● 脉冲越宽 → 耐受能力下降　　所以在电机驱动、电源开关、负载突变等场景，SOA不是“参考”，而是选型红线，必须确保实际工作点始终落在对应工况的 SOA 曲线内，才能避免器件过载损坏。　　图：裸露焊盘的MOS内部结构示意　　SOA曲线的5个关键区段　　下面我们逐段拆解SOA曲线，搞懂每一区段背后的物理意义和设计约束。　　图：SOA五段标注图(A/B/C/D/E段)　　1　　A段　　阻抗限制线(欧姆区)　　满足欧姆定律：Vds = Id × Rds(on)　　在固定温度和 Vgs(栅源电压)条件下，Rds(on) 会保持恒定。因此当MOS完全导通后， Vds与Id呈线性关系。这就是为什么：　　同样电流下，Rds(on)越小，温升越低　　高温下Rds(on)变大，SOA会被进一步压缩　　安森德提示　　选型时务必使用高温Rds(on)，而不是常温标称值。常温下漂亮的参数，到了高温工况可能完全不够用。　　2　　B段　　IDM电流限制线(封装极限)　　由晶圆 + 键合线 + 封装结构共同决定，代表MOS能承受的最大峰值电流Idmax　　不同封装的散热能力、电流承载结构存在差异，直接决定了 Idmax 的上限，这是器件出厂时就确定的关键参数。　　Idmax是大厂经过仿真、计算、大量实测才给出的安全边界。无论电机启动、短路冲击还是电源突载，工作电流绝不能超过长时间或接近Idmax，否则就是「秒烧」，不仅会损坏 MOS 管，还可能引发整个电路的故障，造成严重损失，选型时必须按最恶劣工况校核峰值电流。　　3　　C段　　晶圆功率限制线(热限制)　　满足：P = Vds × Id　　例如某MOS最大耗散功率为10W：　　● Vds=2V → 最大Id≈5A　　● Vds=5V → 最大Id≈2A　　漏源电压Vds与漏极电流Id两者乘积始终接近 10W。这条斜线背后，本质是对最大结温(150℃/175℃)的保护。　　3　　D段　　热稳定限制线(NTC效应区)　　温度↑ → Vgs(th)↓ → 导通增强 → 发热↑　　由于温度越高Vgs(th)越低，导通程度越大，损耗越大，进而加剧温升，形成正反馈，极易导致热失控。　　那么此时需要限制发热功率，故曲线下折，该段折线通常是由实际测试得出的安全边界，不是简单公式计算。　　4　　E段　　电压限制线(BVdss)　　也就是规格书中的漏源击穿电压，MOS管的“能力天花板”。超过这一数值，MOS将发生雪崩击穿。　　咱们选MOS管时，要是摸不清这个天花板，设计电路就跟瞎忙活一样。比如明明管子最大能扛10A电流、20V电压，结果实际用的时候给到12A、25V，开机可能就烧管，到时候查问题只能干着急。　　设计建议　　虽然部分器件具备一定EAS能力，但设计上不应依赖雪崩耐受作为常态工作模式。务必留足电压裕量。　　安森德工程师的选型建议　　掌握了SOA曲线的原理，接下来就是落地到实际设计中。以下四步是安森德FAE团队总结的实战流程：　　1. 先画工况轨迹：把电路中典型的电压、电流、脉冲宽度，标在SOA图上，对照SOA曲线看是否在安全区。　　2. 按最恶劣条件校核：用高温Rds(on)、长脉冲SOA曲线复核。　　3. 预留足够裕量：尤其是电机启动、短路保护、热插拔等瞬态场景。　　4. 关注封装与散热：提前考虑散热、脉冲工况因素。再好的晶圆和设计，封装扛不住，SOA也会大幅缩水。

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发布时间：2026-08-18 10:03 阅读量：428 继续阅读>>

华羿微电亮相NEAS CHINA展会丨深耕车规中低压M<span style='color:red'>OS</span>FET技术赋能汽车电子国产化升级

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华羿微电亮相NEAS CHINA展会丨深耕车规中低压MOSFET技术赋能汽车电子国产化升级

　　8月12日~14日，第十六届上海国际智能网联新能源汽车技术与生态链博览会(NEAS CHINA)在上海新国际博览中心圆满落幕。作为功率半导体的领导者，华羿微电子股份有限公司(简称“华羿微电)携全系列车规级中低压MOSFET产品及车载解决方案重磅参展，并在同期高端技术论坛发表了《国产车规中低压MOSFET的挑战与破局》主题演讲，全方位展示企业技术实力与产品优势，与产业链同仁共探车载功率器件发展新趋势。　　NEAS CHINA作为新能源汽车电子领域极具权威性与影响力的专业展会，聚焦汽车电动化、智能化、网联化核心技术，汇聚整车厂商、汽车Tier1供应商、核心零部件企业及行业科研机构，为上下游搭建了高效的技术交流、产品对接与合作洽谈平台。当前，新能源汽车产业高速迭代，车载电控系统、智能底盘、热管理、车身智能控制等领域持续升级，带动车规中低压MOSFET需求爆发式增长，同时行业对功率器件的高可靠性、高能效、高安全性提出严苛标准，车载半导体国产替代进入加速落地期。　　本次展会，华羿微电展示了公司核心车规级中低压MOSFET产品矩阵及适配多车载场景的解决方案，覆盖-60V–150V主流电压平台，涵盖TOLL、sTOLL、PDFN等多款主流车规封装型号，全面适配新能源汽车车身控制、水泵油泵、转向制动、车载空调、智能座舱、灯光驱动及各类车载电机驱动等核心场景。面对来访客户，华羿微电专业技术与销售团队全程一对一接待，细致讲解产品工艺优势、车规认证体系、性能参数及落地应用案例，深度解答客户关于产品选型、系统能效优化、高温稳定性、抗干扰能力、批量交付等核心问题。　　除展台展示与商务洽谈外，华羿微电FAE翟永永在同期技术论坛，发表了《车规中低压MOSFET的挑战与破局》主题演讲，为行业带来专业的技术解读与市场研判。演讲深入剖析了当下车规中低压MOSFET的行业发展现状、主流技术路线及市场竞争格局，指出新能源汽车架构升级带动单车MOSFET用量大幅提升，车载场景对器件的宽温域工作能力、低导通损耗、高安全工作区、长期可靠性的要求持续升级。　　技术分享环节中，重点解读了MOSFET在汽车上的应用及SGT工艺优势，该工艺可有效优化器件导通电阻、栅极电荷与开关损耗，兼顾产品能效、散热性能与高频工作特性，完美适配新一代汽车域控集成化、小型化、高效化的发展趋势。同时，演讲详细介绍了华羿微车规产品的严苛质控体系，公司依托设计+封测一体化核心优势，严格遵循IATF16949汽车质量管理体系标准，全系车规产品均通过AEC-Q101权威可靠性认证，可满足车载复杂工况的长期稳定运行需求，目前多款核心产品已实现批量上车，成功配套多家主流车企及汽车电子零部件厂商。　　本次NEAS CHINA展会，华羿微电以“展台展示+技术演讲”的多元化形式，全方位、立体化展现了企业在车规中低压MOSFET领域的技术沉淀、产品优势与国产化成果，既有效提升了品牌在汽车电子领域的行业影响力，也通过深度对接上下游客户，精准挖掘市场需求，积累了优质合作资源。　　未来，华羿微将持续深耕车规级功率半导体赛道，持续加大研发投入，迭代升级SGT核心工艺，丰富中低压MOSFET产品谱系，扩充车规产能规模，持续打磨高可靠、高性能、高性价比的国产化车载功率器件解决方案。同时，公司将持续深化与汽车产业链伙伴的协同合作，助力汽车电子供应链自主可控，全力助推新能源汽车产业高质量发展。

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发布时间：2026-08-17 10:59 阅读量：463 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor

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